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• NPN, 80V, 1A, SOT223• VCBO 100V• VCEO 80V• Ic 1A高持续集电极电流• ICM 2A峰值脉冲电流• 2W功耗
凤凰体育(China)官方网站• 40V+175C N沟道增强型MOSFET• BVDSS 40V• RDS(ON) Max 4.5mΩ @ VGS = 10V• ID TC = +25C 95A
凤凰体育(China)官方网站• 表面贴装低电流齐纳二极管• VF 0.9V• Pd 500 Mw• VZ@IZT 14• Izt 50uA• IR 0.05uA• VR 10.6V
凤凰体育(China)官方网站• 小电流齐纳二极管• VF 0.9V• Pd 500 Mw• VZ@IZT 6.2• Izt 50uA• IR 1uA• VR 5V
凤凰体育(China)官方网站• 350mW表面安装齐纳二极管• VF 0.9V• pd 300-350 Mw• VZ@IZT 6.2• Izt 5.0mA• IR 3.0uA @ VR 4V
凤凰体育(China)官方网站• 150mA超低静态电流LDO,带使能功能• 低VIN和宽VIN范围:2.0伏至5.25伏• 保证输出电流,150mA• 输出电压范围:1.2V至4.5V• 输出精度:1%• 静态电流低至0.25µA
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